Fonaments de Transistors, MOSFET, MEMs i Lab-on-a-Chip
Enviado por Chuletator online y clasificado en Tecnología Industrial
Escrito el en
catalán con un tamaño de 2,65 KB
1. Funcionament del transistor PNP
En la manera activa, el transistor PNP s’ha de connectar a dues fonts de tensió: VCE i UEB.
Per fer que el transistor transporti un corrent apreciable de l'emissor (E) al col·lector (C), UEB ha d’estar per sobre d’un valor mínim, anomenat tall de voltatge. Aquest ha de ser de 600 mV per a un BJT de silici a temperatura ambient, però pot variar segons el tipus de transistor utilitzat. Aquest voltatge fa que la unió P-N permeti un flux de forats des de l’emissor a la base. En la zona activa, el corrent d'emissor (IE) és el corrent total, la suma dels corrents interns.
2. Tipus de MOSFET i fabricació
Depenent de com s'hagi realitzat el dopatge, tenim dos tipus de MOSFET:
- nMOS: Substrat de tipus p i
español con un tamaño de 6,8 KB