Preguntas de Difusión, Diseño CMOS, Sincronismo, Litografía y Encapsulado: Banco de Test Resuelto

Preguntas de Difusión

Preguntas de difusión 1

¿Cuándo se define la difusión con fuente constante? a) Cuando la cantidad de impurezas que hay en la superficie del material es constante.
¿Cuándo se define la difusión de redistribución? b) Cuando la cantidad de impurezas que hay en el material es constante.
La difusión es un método: a) Para introducir dopantes en un material. b) Para recolocar el número de dopantes que hay en el material.
Cuando introducimos un átomo de impureza en la vacante de un átomo que se ha liberado de un material hablamos de: d) Difusión sustitucional.

En la lógica dominó, ¿cuál es la señal de precarga por defecto? d) Siempre precargamos con 1 para evitar descargas no deseadas.
La lógica dinámica es más apropiada que la estática: c) Cuando la frecuencia media del circuito es mayor o igual que la cuarta parte de la frecuencia máxima.
La lógica BiCMOS se usa cuando: a) Queremos aumentar los niveles de corriente y la capacidad de carga a las salidas.
La lógica CMOS dinámica: b) Está construida por transistores P o N y la señal de reloj que se encarga de la sincronización del circuito. Grupo 2

¿Cómo son los perfiles del dopaje en la difusión extrínseca? b) Los perfiles del dopaje son más abruptos que en la difusión intrínseca.
La difusión lateral es un problema que surge debido a: c) Los dopantes se difunden por debajo de la capa.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre la deposición en fuentes gaseosas es correcta? d) Todas las anteriores son correctas.
El perfil de concentración de impurezas en un proceso de redistribución es un: b) Perfil gaussiano.

En un sistema síncrono todo es: a) Mínimo tiempo que ha de estar la entrada estable antes del flanco de reloj.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones es la correcta sobre los sistemas pipeline? a) En los sistemas pipeline, una única señal de reloj controla todos los registros, siendo la variable de entrada la que define el estado actual.
La estructura lógica del sincronismo de una fase es la siguiente: d) Estructura dinámica N + estructura dinámica P + CMOS CRROJO (C2MOS).
Las señales de reloj llevadas a las estructuras maestro-esclavo usadas en memorias de una fase deben ser: b) Complementarias.

Si comparamos el proceso de implantación iónica con el de difusión, hay que tener en cuenta aspectos tan importantes como la pureza del dopaje, la reproducibilidad, el tipo de energía aplicada, etc. ¿Cuál de las siguientes afirmaciones es falsa? b) La pureza del dopaje es excluyente en los dos métodos.
¿Con qué método se introducen iones dentro del interior de una muestra y estos interactúan con los átomos? c) Implantación iónica.
Pregunta larga: c) Las máscaras son de fotorresina, más baratas y fáciles de obtener que las de SiO2, y el efecto de los bordes en la máscara está muy controlado, con un error mucho menor que en el caso de la difusión.
¿Cuáles son los elementos característicos de un equipo de implantación iónica? a) Una fuente de iones, una o dos etapas de aceleración y focalización, un imán separador de masas y una cámara de tratamiento.

¿Cuál es la afirmación correcta? a) Los registros con dos fases suelen estar compuestos de estructuras con una sola fase, P1 de alimentación en el maestro y P2 para alimentar al esclavo del registro.
¿Cuántas líneas de reloj podemos tener en un chip? c) Entre una y cuatro.
¿Cuál es el circuito básico utilizado en el sincronismo de dos fases?
4. Si se trata de una estructura lógica dinámica, se usa el esquema de la figura. Señala la afirmación correcta: b) La primera puerta se precarga durante P1 y se evalúa durante P2. Mientras la primera se evalúa, la segunda se precarga. Grupo 4

La ventaja que conlleva la epitaxia por haces moleculares (MBE) es: b) Obtención de muestras de muy alta pureza y calidad cristalina y estructural.
¿Cuál de las siguientes técnicas NO es un proceso epitaxial? b) Epitaxia en fase sólida.
El crecimiento epitaxial consiste en: d) El crecimiento de una capa monocristalina de poco espesor sobre un sustrato.
¿Cuál de los siguientes procesos de crecimiento epitaxial se realiza bajo un ambiente de hidrógeno? a) Epitaxia en fase líquida.

Parámetros que miden la realización de un buen diseño serán: a) Rendimiento, vida útil y tiempo de desarrollo del diseño.
La regularidad: a) Aumenta la productividad.
¿Cuál de las siguientes estrategias NO es una estrategia de diseño CMOS? d) Transferencia.
¿Cuál NO es un dominio de representación? c) Dominio lógico.

¿Qué tipo de oxidación produce óxido de mayor calidad? a) Oxidación seca.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones es falsa? d) Los óxidos crecen más lentamente en las zonas más fuertemente dopadas.
Si necesitamos crear un óxido de un grosor muy fino y de alta calidad, ¿qué parámetro deberíamos modificar? b) La presión.
¿En qué sistema de oxidación húmeda una corriente de oxígeno o nitrógeno pasa por encima de agua en evaporación, arrastrando todo el conjunto hasta el horno de difusión? c) Método del flash.

¿Cuál de las siguientes afirmaciones sobre la programación de las EPROM y EEPROM es correcta? c) Ambas utilizan transistores CMOS.
El sistema PLD, que lo utiliza la compañía actual como 1: a) Antifusible.
¿Cuál de los siguientes elementos forma parte de una FPGA (Field Programmable Gate Array)? a) Todos los anteriores.
¿Cuál de las siguientes afirmaciones es correcta? a) Los cambios en el diseño de los gate arrays son más costosos que en las FPGAs.

¿De qué manera se dopa el polisilicio, la más utilizada? b) Implantación.
¿Cuál es la ventaja de la utilización del plasma en el depósito de aislantes? a) Reduce las temperaturas del proceso.
El depósito de dióxido de silicio (SiO₂) dopado o no dopado es utilizado en la técnica CVD (depósito químico en vapor) como: b) Capa de pasivación.
¿Cuál de las siguientes es verdadera? c) Se produce recombinación en la interfaz, dependiendo de las condiciones de polarización del dispositivo.

c) En matriz de puertas usamos una oblea prefabricada, donde sólo dibujamos los niveles de metalización.
Los métodos Sticks layout y Virtual grid son: c) Métodos de diseño simbólico.
Si utilizamos matrices de transistores en la implementación de funciones lógicas complejas, ¿cuál es el método óptimo? a) Sea of gates.
¿Qué técnica se caracteriza por diseñar y optimizar cada transistor individualmente para obtener la característica que más nos interese al diseñar nuestro circuito? b) Full custom.

En la fabricación física de los chips, teniendo ya la imagen reducida fotográficamente, la podemos repetir: c) Formando filas y columnas.
Las fotorresinas negativas están compuestas de: a) Polímero y compuesto fotosensible.
En las fotorresinas positivas, en las zonas expuestas a luz UV: a) Aumenta su solubilidad en un disolvente.
En la fase de cocido