La Junció PN i el Díode Semiconductor: Funcionament i Aplicacions
Enviado por Chuletator online y clasificado en Tecnología Industrial
Escrito el en
catalán con un tamaño de 2,96 KB
La Junció PN i el Díode Semiconductor
Si posem en contacte un cristall semiconductor de tipus p i un altre de tipus n, la superfície de contacte s’anomena junció PN i el cristall resultant és un díode semiconductor. En posar en contacte aquests dos cristalls, a la zona de la junció es produeix una difusió dels electrons cap a la zona p i dels forats cap a la zona n per combinar-se. Això fa que, a les immediacions de la zona de la junció, quedin sense equilibrar ions negatius i positius, creant la barrera potencial.
Aquesta barrera potencial fa que els portadors cada vegada tinguin més dificultat per creuar i combinar-se amb els altres portadors. Aquest potencial de la barrera és de 0,7 V per als díodes de silici i 0,2 V per als... Continuar leyendo "La Junció PN i el Díode Semiconductor: Funcionament i Aplicacions" »
español con un tamaño de 7,83 KB