Transistores
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- Un transistor es un dispositivo de 3 terminales
- Hay de dos tipos npn y pnp
- Los circuitos base-emisor y base-colector se comportan como diodos.
- el diodo base-emisor esta polarizado en directa, y el base-colector en inversa
- ¿Qué es un transistor bipolar BJT? : Es un tipo de transistor de tres terminales, colector, emisor y base; entre sus principales funciones son; un buen amplificador y como elemento de conmutación
- ¿Cuáles son los tipos de BJT? : NPN; que cuenta con dos regiones tipo n y una p. PNP; que cuenta con dos regiones p y una región n.
- ¿Cuáles son las diferencias entre los transistores NPN y PNP? : Es básicamente en su estructura interna, sea de mayor región n o p además en el transistor NPN sale la corriente por el emisor, y en el PNP ingresa la corriente por esta misma
- ¿Cuáles son las características de entrada de los transistores NPN? : La configuración emisor común es la que generalmente se utiliza en aplicaciones de conmutación, por ende las características de entrada en un NPN es la relación que se tiene entre la corriente base (IB) y el Comportamiento de la tensión VBE este ultimo en función de IB.
- ¿Cuáles son las características de salida de los transistores NPN? : Viene a ser el comportamiento de la corriente IC, en función del voltaje colector – emisor VCE.
- ¿Cuáles son las tres regiones de operación de los BJT? : corte , activa, saturación ,
- ¿Qué es el beta (B) de los BJT? : Es la relación de la corriente de colector (IC) y la corriente de base, se llama ganancia de corriente en sentido directo
- ¿Cuál es la diferencia entre B, y la beta forzada (BF) de los BJT? : El BF, es la relación de ICS (corriente de colector en la saturación) y la IB, lo cual esta relación es cuando se analiza en el punto de saturación.
- ¿Qué es la transconductancia de los BJT? : La transconductancia (gm), viene a ser la relación de IC con VBE, lo cual es una constante para una representación o modelo de un BJT con generador de corriente.
- ¿Qué es el factor de sobreexcitación de los BJT? : es la relación entre IB e IBS (corriente base en la región de saturación).
- Efecto amplificador la juntura emisor-base debe ser operada en directo y la juntura base-colector en inversa
- Los transistores pueden ser operados en 3 circuitos emisor-común, base-común. Colector-común
- Tensión base emisor en los transistores de silicio es de 0,7 volt
- La juntura PN superior opera en dirección inversa para transistores NPN(colector + en relación al emisor )
- Para los transistores PNP el colector es – con relación al emisor
- La juntura PN inferior opera en directa y la juntura PN superior en inversa por ende en la capas intermedia y superior una zona de bloqueo
- Emisor común :es utilizado con mayor frecuencia
- Colector común : usado para trasformación de impedancias
- Base común :usado en la técnica de alta frecuencia
- Emisor :suministra los portadores de carga
- Colector : los recolecta nuevamente
- Base : es el elemento de control , zona base para las dos junturas PN
- Ib y Ic actúan proporcionalmente la una de la otra dentro de unos amplios limites
- Diferencia entre PNP y NPN su diferencia es por la secuencia de sus capas estas determinan una polaridad diferente de las tenciones de base y de colector
- La determinación del sentido de la corriente esta basada siempre en el sentido convencional de la corriente
- Todas las corrientes que entran al transistor son + y las que salen son –
- Para que un transistor trabaje, la sección base-emisor debe operar en dirección directa pera la sección base colector en dirección inversa
- Una mayor corriente de colector produce una mayor caída de tensión
- Una mayor corriente de base produce una mayor corriente de colector
- Transistor de germanio vbe= 0,2 ,0,3 , j max = 90°C Vce 90V
- Transistor de silicio Vbe = 0,6 , 0,7 j max = 150 °C hasta 200°C, Vce 150 V
- Tencion base-emisor para Ic < 20="" ma="" ,="" para="" ic="">20 mA , máxima temperatura de juntura, máxima tensión de colector –emisor