Transistor

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1-¿CUAL ES EL TERMINAL DE CONTROL DE UN FET? ¿Y LOS TERMINALES CONTROLADOS? ¿QUE MAGNITUD
ELECTRICA ES LA QUE CONTROLA EL FUNCIONAMIENTO DEL TRANSISTOR?
El terminal de control de un transistor Fet es la puerta (gate). 
Los transistores de efecto de campo (FET, Field Effect Transistor) son importantes dispositivos que, al igual que los bipolares, se utilizan como amplificadores e interruptores logicos. A diferencia de los transistores bipolares un FET esta controlado por la magnitud electrica de la tension, Entonces, si se aplica una tension entre drenador y fuente, fluira una corriente que sale de la fuente, y va a traves del canal, hacia el drenador. La corriente de drenador esta  controlada por la tension que se aplica a la puerta.
2-COMPARA LAS ESTRUCTURAS Y SIMBOLOS DE UN TRANSISTOR MOSFET DE CANAL N Y CANAL P, ASI COMO
EL SENTIDO Y POLARIDAD DE LAS CORRIENTES Y TENSIONES EN SUS TERMINALES.
Son dispositivos simetricos y complementarios 
Se diferencian en:
-El sentido de las corrientes es opuesto
-Cambian la polaridad
-El flujo de electrones en los huecos
Los Mosfet de canal n conducen mejores que los de canal p
(usaremos  mas en los de canal n por su utilidad frente a los p)
Los terminales de los transistores no son intercambiables como los bipolares ya que estan diseñados para que el substrato interaccione  de forma n-p o p-n.
3-¿CUANDO SE DICE QUE UN TRANSISTOR MOSFET ESTA EN SATURACION? ¿QUE SABEMOS DE LAS TENSIO-
NES Y CORRIENTES EN LOS TERMINALES DEL DISPOSITIVO CUANDO ESTa EN ESTA REGION DE COMPORTAMIEN-
TO?
Cuando la tension entre drenador y fuente supera cierto limite, la anchura del canal en el extremo del drenador se hace cero. La corriente entre fuente y drenador no se interrumpe, ya que es debido al campo electrico entre ambos, pero se hace independiente de la diferencia de potencial entre ambos terminales.
(Es decir, llega una tension limite en la cual si seguimos aumentando la tension no conseguiremos 
incrementar la corriente que permanecera constante)
4-¿CUANDO SE DICE QUE UN TRANSISTOR MOSFET ESTA EN REGION OHMICA? ¿QUE SABEMOS DE LAS TEN-
SIONES Y CORRIENTES EN LOS TERMINALES DEL DISPOSITIVO CUANDO ESTA EN ESTA REGION DE COMPORTA-
MIENTO?
Estamos en la situacion en  que vGS es mayor que la tension de umbral.
El campo electrico que resulta de la tension aplicada a la puerta ha repelido a
los huecos de la region situada bajo la puerta, y ha atraido a electrones que pueden
fluir con facilidad en la direccion de polarizacion directa a traves de la union fuente-sustrato.
Esta repulsion y atraccion simultaneas producen un canal de tipo n entre el drenador y la fuente. Entonces, al aumentar vDS, la corriente fluye hacia el drenador a traves del canal y de la fuente. Para valores pequeños de vDS, la corriente de drenador es proporcional a vDS.
Esta region equivale a la activa del transistor bipolar, en el que se comporta como un
interruptor cerrado.
5-¿EN QUE REGION O REGIONES DE FUNCIONAMIENTO TRABAJA UN TRANSISTOR MOSFET CUANDO SE EM-
PLEA COMO AMPLIFICADOR? ¿POR QUE?
Trabaja en la region de saturacion, Los generadores de tension continua polarizan
 el MOSFET en un punto de trabajo adecuado (saturacion)  para que pueda  tener lugar la amplificacion de la señal de entrada Vin(t). La tension de entrada Vin(t) hace que vGS varie con el tiempo, lo que a su vez hace que varie iD. La caida de tension variable en Rd hace que aparezca en el terminal del drenador una version amplificada de la señal.
6-¿EN QUE REGION O REGIONES DE FUNCIONAMIENTO TRABAJA UN TRANSISTOR MOSFET CUANDO SE EM-
PLEA COMO CONMUTADOR? ¿POR QUE?
En corte y saturacion.  Cuando la tension de puerta de un MOSFET de canal-n (NMOS) es mas positiva que la de fuente, el MOSFET conduce (saturacion) e, idealmente, se comporta como un conmutador cerrado entre el drenador y la fuente. Cuando la tension puerta-fuente es cero, el MOSFET no conduce (corte) y se comporta idealmente como un interruptor abierto entre el drenador y la fuente.
7-SIMPLIFICANDO, SE DENOMINA TRANSISTOR MOSFET AL TRANSISTOR MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
(ENHANCEMENT), ¿QUE OTROS DOS TIPOS DE TRANSISTORES SON TAMBIEN TRANSISTORES DE EFECTO DE CAM-
PO (FET)? DESDE EL PUNTO DE VISTA DE SU UTILIZACION, ¿QUE DIFERENCIA ESTOS DOS TIPOS DE TRANSIS-
TORES DE UN MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO?
Los JFET y los MOSFET de empobrecimiento.
8-¿QUE VENTAJAS E INCONVENIENTES TIENE UN TRANSISTOR MOSFET FRENTE A UN TRANSISTOR BIPOLAR
CUANDO SE EMPLEA COMO AMPLIFICADOR?
Ventajas
Son dispositivos sensibles a la tension con alta impedancia de entrada (del orden de 107 W ). Como esta impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Los FET so mas estables con la temperatura que los BJT.
Desventajas
Los FET exhiben una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacitancia de entrada.
Algunos tipos de FET presentan una linealidad muy pobre.
9-¿QUE VENTAJAS E INCONVENIENTES TIENE UN TRANSISTOR MOSFET FRENTE A UN TRANSISTOR BIPOLAR
CUANDO SE EMPLEA COMO CONMUTADOR?
Ventajas
-La velocidad de conmutacion para los MOSFET esta en el orden de los nanosegundos, por 
esto son muy usados en convertidores de pequeña potencia y alta frecuencia.
- Los Mosfet no tienen el problema de segunda ruptura.
Desventajas
Son muy sensibles a las descargas electrostaticas y requieren un embalaje especial.
- Es relativamente dificil su proteccion.
- Son mas caros que sus equivalentes bipolares.
- La resistencia estatica entre Drenador-Surtidor, es mas grande, lo que provoca mayores 
perdidas de potencia cuando trabaja en Conmutacion.