Ventajas de la memoria simm

Van por la 3ª generación de procesadores, y lo último en tecnología es la arquitectura Ivy Bridge es el nombre en clavepara el encapsulado reducido a 22 nmpara la microarquitecturade Sandy Bridgebasada en transistores Tri-Gate. Los procesadores Ivy Bridge son retrocompatibles con la plataforma de Sandy Bridge, pero pueden requerir una actualización de firmware. El 8 de Abril Intel lanzó la nueva serie de chipsets de la serie 7 Panther Point con USB 3.0integrado para complementar a Ivy Bridge.

Se habla de que en un futuro se pueda llegar a 14 nm, e incluso a los 10nm para el encapsulado.
Ahora con el silicio se puede fabricar sin alterar las propiedades físicas a 22nm (nanómetros), pero cuando baja a 10~11 nm, tenemos que utilizar el Grafeno (que se encuentra dentro del grafito). Será el sustituto del Silicio.

Otra de las mejoras es la reproducción múltiple de 4Kde resolución, Tecnología Transistores Tri-Gate(menos del 50% de consumo energético al mismo nivel de rendimiento respecto de los transistores planos).
El rendimiento comparado con Sandy Bridge:
- 5% a 15% incremento de rendimiento de procesador.
- 20% a 50% incremento en rendimiento del procesador gráfico integrado (GPU).

Se basan en la tecnología Tick – tock: un año se crea una tecnología, al año siguiente se mejora la arquitectura.

TTL las PAL y CMOS las GAL. Una GAL es un chip que tiene en su interior muchas puertas que pueden ser interconectadas para formar funciones complejas. Estos chip son la evolución de los chip PAL. El sistema PAL o GAL es la uníón de muchos circuitos integrados. El ROADMAP de la tecnología sirve para ver lo que van a sacar en un futuro.Para hacer operaciones sencillas y liberar al procesador, se usa el CHIPSET.

CHIPSET

Su función era establecer contacto con el exterior, para liberar al procesador, haciendo operaciones. El puente
Norte se dedica a hacer operaciones rápidas (microcontroladores, procesador, memoria, gráfica), el resto de operaciones que sean de velocidades más bajas usamos el puente Sur.

ANTES para llegar al puente Norte, era pasando a través del puente Sur, y si algo que estaba enganchado el puente Norte tenía que acceder al puente Sur, tenía que ser a través del puente Norte.

*Puente Norte: Está conectado con la RAM, el microprocesador y la tarjeta gráfica. Que son los componentes más rápidos. También lleva la controladora de memoria, que es la parte del circuito integrado que se conecta con la memoria RAM.

*Puente Sur: Controla el resto de las comunicaciones. Usb, teclado…

SISTEMAS DE COMUNICACIÓN PARALELO (Slot de la placa base)

-ISA (8), ISA (16) obsoeto. -PCI (32) - obsoleto. -PCI-X (64) à Solo existe en placas de servidores. -PCI/PCI-E (Express)(x16)- soporta graficas AGPx8. Por 16, es el número de canales serie entre la grafica y el puente norte. -AGP(x2, x4, x8): servía para conectar gráficas.

Algo nativo es que ya viene incorporado en el puente sur y no usa un canal PCI.

MEMORIA DE ACCESO ALEATORIO

*RAM: si se desactiva la corriente se borra lo que haya guardado. Esta incluida aquí la memoria caché. Parte de la BIOS (la información que lleva) y discos duros.

Tipo Estática (activa): con un transistor = 1 bite. Es más rápida, se calienta más, consume más, poco compatible y cara.
Tipo Dinámica (pasiva): con un condensador = 1 bite. Es más lenta (entre 20 y 80 veces), se calienta menos, consume menos, muy compatible, barata.

El condensador tiene que hacer refrescos cada segundo =  millones de refrescos.
Synchronous Dynamic Random Access Memory (SDRAM) es una memoria dinámica de acceso aleatorio DRAM que tiene una interfaz síncrona lo que significa que el cambio de estado de la memoria tarda un cierto tiempo. En cambio, en las SDRAM el cambio de estado tiene lugar en el momento señalado por una señal de reloj y, por lo tanto, está sincronizada con el bus de sistema del ordenador.

El método de segmentación (pipeline) significa que el chip puede aceptar una nueva instrucción antes de que haya terminado de procesar la anterior, se produce un retraso. (Este retraso se llama latencia y es un parámetro importante a considerar cuando se compra una memoria SDRAM para un ordenador.)

Antiguamente se nombraban como PC 66 – 66 MHz; PC 100 – 100 MHz; PC 133 – 133 MHz. En cada ciclo de reloj se envía 1 dato.

Ahora se llaman DDR, actualización de la SDRAM, en cada ciclo de reloj, envía el doble de datos (2). Incluye el parámetro “tasa de transferencia” (cantidad de información que mueve de un punto a otro – FSB).

Un PC1600 = PC100 --> 100 (frecuencia) x 2 (datos que manda) x 8 (bites que tiene un byte). -->8 bites = 1 byte.

Después de que Intel sacara el doble canal y le funcionase, lo sacó AMD.
- DDR2: 1,8V – 4 bits de trabajo por ciclo (2 ida y 2 vuelta en el mismo ciclo). Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltiosy 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2,5.

- (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria.
-Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información.

El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer transferencias de datos más rápido, y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GB. También proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución global de consumo eléctrico.

Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficientes.

DIMM son las siglas de «Dual In-line Memory Module» y que podemos traducir como Módulo de Memoria en línea doble. Son módulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado están unidos con los del otro.

El hecho de que los módulos en formato DIMM (Módulo de Memoria en Línea Doble), sean memorias de 64 bits, explica por qué no necesitan emparejamiento. Los módulos DIMM poseen chips de memoria en ambos lados de la placa de circuito impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos. Además de ser de mayores dimensiones que los módulos SIMM (130x25mm), estos módulos poseen una segunda muesca que evita confusiones.

También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno pequeño), diseñados para ordenadores portátiles. Los módulos SO DIMM sólo cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en el caso de las memorias de 32 bits.

Tipos de latencias

Existen varios tipos de latencias en las memorias, sin embargo, las más importantes son:
CAS:indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una columna o celda.
RAS: indica el tiempo que tarda la memoria en colocarse sobre una fila.
ACTIVE: indica el tiempo que tarda la memoria en activar un tablero.
PRECHARGE: indica el tiempo que tarda la memoria en desactivar un tablero.
GDDR3 -> se busca un rendimiento máximo en el ordenador.
DDR -> se busca un bajo consumo.
ROM: es la que hay en la pila de la placa base, no se puede escribir en ella, es solo de lectura.
La memoria flash es una tecnología de almacenamiento —derivada de la memoria EEPROM— que permite la lecto-escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM primigenia, que sólo permitía actuar sobre una única celda de memoria en cada operación de programación. Se trata de la tecnología empleada en los dispositivos pendrive.