Funcionamiento de memoria uvprom

Comparación ENTRE CISC Y RISC: CISC:

1-Énfasis en el software.
2-Incluye el multi-reloj, instrucciones reducidas.
3-Altos ciclos por segundo, tamaños de código pequeños.
4-Transistores usados para almacenar instr. Complejas.
5-Una instrucción por circunstancia.
6-Instrucciones complejas.
7-Lenta ejecución de la instrucción.
8-Pocas instrucciones por trabajo.

RISC: 1-

Énfasis en el hardware.
2-Solo-reloj, instrucciones complejas.
3-Ciclos bajos por segundo, tamaños de códigograndes.
4-Pasa más transistores en los registros de la memoria.

5-Pequeñas instrucciones.
6-Instrucciones simples.
7-Ejecución rápida de las instrucciones.
8-Varias instrucciones por trabajo específico.

EN FUNCIÓN DEL FABRICANTE

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PC de marca, como IBM, Compaq, Dell, Fujitsu-Siemens, etc. Empresas lo bastante grandes como para desarrollar (potencialmente) sus propios componentes hardware.

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Clónicos, que se crean a partir de componentes estándar. Cualquiera puede construir su propio clon.

POR SU EVOLUCIÓN HISTÓRICA

 El overclocking es forzar los componentes del equipo para que trabajen a una velocidad más rápida que la fijada por fábrica con el objetivo de mejorar el rendimiento del equipo. Los problemas que pueden surgir con esta técnica son: el ordenador simplemente no funcione, perdida de la garantía del equipo, aumento del calor, electro-migración, alteración de la configuración global del equipo.

La arquitectura de von Neumann es una familia de arquitecturas de computadoras que utilizan el mismo dispositivo de almacenamiento tanto para las instrucciones como para los datos. La mayoría de computadoras modernas están basadas en esta arquitectura, aunque pueden incluir otros dispositivos adicionales.

La Arquitectura Harvard sin embargo es una arquitectura que utiliza dispositivos de almacenamiento físicamente separados para las instrucciones y para los datos. El término proviene de la computadora Harvard Mark 1, que almacena las instrucciones en cintas perforadas y los datos en interruptores

TIPOS DE MEMORIA RAM:

SRAM: (Memoria Estática de Acceso Aleatorio)

es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz de mantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco. Sin embargo, sí son memorias volátiles, es decir que pierden la información si se les interrumpe la alimentación eléctrica.

-DRAM (Dynamic Random Access Memory) es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco.

TIPOS DE MEMORIA ROM:

-PROM:

(Programmable Read-Only Memory). Es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible, que puede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada una sola vez a través de un dispositivo especial, un programador PROM.

-EPROM:

(Erasable Programmable Read-Only Memory) Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil. Está formado por celdas de FAMOS  o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1.

-EEPROM:

(Electrically-Erasable Programmable Read-Only Memory). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente, a diferencia de la EPROM que ha de borrarse mediante un aparato que emite rayos ultravioletas. Son memorias no volátiles.

-FLASH:

es una tecnología de almacenamiento derivada de la memoria EEPROM que permite la lecto-escritura de múltiples posiciones de memoria en la misma operación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades de funcionamiento muy superiores frente a la tecnología EEPROM.