Jerarquía y tipos de memorias: ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash, DRAM y SRAM

Electricidad y ElectrónicaActualizado el 4,16 KB

Resumen

El documento explica la jerarquía de memorias según coste por bit, tiempo de acceso y capacidad, y clasifica las memorias por tecnología de lectura/escritura o de solo lectura. Describe los módulos de memoria (DIP, SIMM y DIMM) y las características de ROM, PROM, EPROM, EEPROM, Flash, DRAM y SRAM. Sirve para entender las diferencias entre estos tipos de memoria.

Puntos clave

  • La jerarquía de memoria se basa en coste por bit, tiempo de acceso y capacidad de almacenamiento.
  • Las memorias se clasifican en de lectura/escritura (SRAM, DRAM) y de solo lectura (ROM, PROM, EPROM, EEPROM).
  • ROM almacena su contenido en fabricación y no puede modificarse; PROM puede programarse una sola vez mediante fusibles.
  • EPROM se borra con luz ultravioleta y EEPROM se borra eléctricamente, pudiendo borrar partes selectivamente.
  • Las memorias Flash son similares a EEPROM, con mayor densidad, menor coste por bit y menor consumo.
  • La DRAM usa un capacitor por celda, tiene gran densidad y es la memoria principal de los ordenadores.
  • La SRAM no necesita refresco, está formada por biestables, es más rápida y requiere 6 transistores por bit.

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Jerarquía y Tipos de Memorias

Desde el punto de vista del uso que se le vaya a dar a las memorias, existen tres propiedades fundamentales:

  • Coste por bit
  • Tiempo de acceso a la información
  • Capacidad de almacenamiento o tamaño típico

La ubicación de la información en cada nivel dependerá de su probabilidad de uso, generando un movimiento ascendente/descendente de la información en la jerarquía de memoria.

Información necesaria: sube por la jerarquía de memoria para estar disponible en el nivel necesario.

Módulos de Memoria

Módulos Dual In Line Package (DIP)

Son integrados de distinto tamaño encapsulados en plástico y cerámica.

Se pueden soldar directamente en la placa base o ir en circuitos integrados.

En función del formato físico de integración pueden ser módulos SOJ (Small Out Line J-Lead) y módulos TSOP.

Módulos Single In Line Memory Module (SIMM)

Son iguales que los módulos SIP, pero cambia la forma de conectarlos a la placa base.

Los contactos están incorporados dentro del propio circuito, lo que les proporciona mayor robustez.

Hay módulos SIMM de 30 y de 72 contactos con longitud de palabra de 8 y 16 bits.

Módulos Dual In Line Memory Module (DIMM)

Módulos de 168 y 240 contactos y longitud de palabra de 32 y 64 bits.

Físicamente son muy parecidos a los SIMM, pero más largos.

Tipos de Memoria

Clasificación de Memorias

Según la tecnología de Lectura/Escritura (L/E):

  • SRAM
  • DRAM:
    • SDRAM → DDRx SDRAM, GDRAM
    • RDRAM (Rambus RAM)

De solo Lectura (L):

  • ROM
  • PROM
  • EPROM
  • EEPROM

Memoria ROM (Read Only Memory)

  • ROM (Read Only Memory): El contenido de la memoria es almacenado durante el proceso de fabricación y no puede ser borrado ni modificado.
  • PROM (Programable ROM): Cada posición de memoria es un fusible que se puede fundir mediante pulsos de corriente elevada. Es un proceso irreversible, por lo que solo puede ser programada una vez.
  • EPROM (Erasable PROM): Permiten borrar la información almacenada. Esto se hace mediante la exposición del chip a la luz ultravioleta, por lo que cada chip tiene una ventana transparente tapada con una pegatina. Al retirar esa pegatina se borrará todo el contenido de la memoria.
  • EEPROM (Electrically EPROM): La información se puede borrar mediante pulsos de corriente eléctrica. Además, permite borrar selectivamente partes de la memoria.
  • Memorias Flash: Similar a la tecnología EEPROM, pero con más ventajas. Tiene mayor densidad de integración, lo que permite menor tamaño y menor coste por bit. Además, su consumo energético es mucho menor.

Memoria DRAM (Dynamic Random Access Memory)

Es el tipo de memoria utilizado como memoria principal de los ordenadores.

Tiene gran densidad de integración, por lo que puede almacenar gran número de bits en un espacio muy pequeño y a poco coste.

Cada celda de memoria está compuesta por un capacitor que puede retener una carga eléctrica para almacenar un bit.

A lo largo del tiempo ha habido diversas tecnologías de memorias DRAM, siendo las más recientes las memorias DDR SDRAM, DDR2 SDRAM, DDR3 SDRAM, DDR4, DDR5, DDR6,...

La S hace referencia a que la memoria es síncrona. En una memoria síncrona se establece una correspondencia 1 a 1 entre los ciclos de máquina y los ciclos de memoria.

SRAM (RAM Estática)

Esta memoria no necesita ser refrescada.

Fabricadas con biestables.

Es mucho más rápida que la memoria RAM, pudiendo igualar en velocidad al procesador.

Cada bit almacenado requiere 6 transistores, mientras que la memoria RAM solo requiere 1 transistor y un capacitor.

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Preguntas frecuentes

¿En qué se diferencian la EPROM y la EEPROM?

La EPROM se borra exponiendo el chip a luz ultravioleta, borrando todo el contenido. La EEPROM se borra mediante pulsos eléctricos y permite borrar selectivamente partes de la memoria.

¿Por qué la DRAM necesita refresco y la SRAM no?

La DRAM almacena cada bit en un capacitor que pierde su carga con el tiempo, por lo que debe refrescarse. La SRAM está fabricada con biestables y no necesita refresco.

¿Qué significa la S en SDRAM?

La S indica que la memoria es síncrona, es decir, que existe una correspondencia 1 a 1 entre los ciclos de máquina y los ciclos de memoria.

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Test

1. ¿Qué memoria puede programarse una única vez mediante fusibles?
2. ¿Cómo se borra el contenido de una EPROM?
3. ¿Qué memoria es la principal de los ordenadores según el documento?
4. ¿Cuántos transistores requiere cada bit en una SRAM?
5. ¿Qué ventaja tiene la memoria Flash frente a la EEPROM?
6. ¿Qué propiedad de la memoria se relaciona con la probabilidad de uso de la información?

Preguntas generadas con IA a partir del documento: comprueba las respuestas con el texto.