Asas
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ROM de Máscara: se conoce como ROM y se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su construcción y no se puede alterar. Son memorias ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversión y caracteres. PROM: ROM programable. Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de fabricación, en vez de ello la programación la efectúa el usuario y se puede realizar una sola vez, después de la cual no se puede borrar o volver a almacenar otra información. El proceso de programación es destructivo, es decir, que una vez grabada, es como si fuese una ROM normal. Para almacenar la información se emplean dos técnicas: por destrucción de fusible o por destrucción de unión. EPROM: PROM pero ademas la información se puede borrar y volver a grabar varias veces. EEPROM: es programable y borrable eléctricamente. Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual, para borra la información no se requiere luz ultravioleta, las memorias EEPROM no requieren programador, para reescribir no se necesita se necesita hacer un borrado previo, se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen problemas para almacenar la información y el tiempo de almacenamiento de la información es similar al de las EPROM, es decir aproximadamente 10 años. FLASH: La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar eléctricamente. Se caracteriza por tener alta capacidad para almacenar información y es de fabricación sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las EEPROM. Es muy utilizada en pendrive y cámaras