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Memorias de Acceso Aleatorio: Se caracterizan por ser memorias de lectura/escritura y contienen un conjunto de variables de dirección que permiten seleccionar cualquier dirección de memoria de forma directa e independiente de la posición en la que se encuentre. Estas memorias son volátiles, es decir, que se pierde la información cuando no hay energía y se clasifican en dos categorías básicas: la RAM estática y la RAM dinámica, las cuales se describen en las siguientes dos secciones.
RAM estática: Se compone de celdas conformadas por flip-flops construidos generalmente con transistores MOSFET, aunque también existen algunas memorias pequeñas construidas con transistores bipolares.
SRAM Sincrónica: Opera en sincronía con otros dispositivos. La ventaja de estas memorias viene proporcionada por lo que se podría llamar su funcionamiento automático, guiado por la señal de reloj, por lo que no es necesario ocuparse de generar las señales de control.
SRAM de Ráfaga: Las memorias de ráfagas (burst) son sincrónicas y se caracterizan por incluir un contador que permite que la memoria genere internamente la dirección a la que debe acceder, consiguiendo de esta forma accesos hasta cuatro posiciones de memoria con una sola dirección de referencia. Esto permite acceder de forma más rápida a la información en memoria.
SRAM Pipeline: Incluyen un buffer para almacenar la dirección y los datos actuales proporcionados por la memoria.
RAM dinámica:DRAM se compone de celdas de memoria construidas con condensadores.
SRAM: Velocidad de acceso alta, para retener los datos solo necesita estar energizada y son mas faciles de diseñar. Pero tienen menor capacidad ya que cada celda de almacenamiento requiere mas espacio, mayor costo por bit y mayor consumo de potencia.
DRAM: Mayor densidad y capacidad, menor costo por bit y menor consumo de potencia. Pero la velocidad de acceso es baja, necesita recargar la información para retenerla y diseño complejo.
ROM: Memorias de lectura y contienen celdas de memoria no volátiles, es decir que la información almacenada se conserva sin necesidad de energía
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ROM de Máscara: se conoce como ROM y se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su construcción y no se puede alterar. Son memorias ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversión y caracteres. PROM: ROM programable. Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de fabricación, en vez de ello la programación la efectúa el usuario y se puede realizar una sola vez, después de la cual no se puede borrar o volver a almacenar otra información. El proceso de programación es destructivo, es decir, que una vez grabada, es como si fuese una ROM normal. Para almacenar la información se emplean dos técnicas: por destrucción de fusible o por destrucción de unión. EPROM: PROM pero ademas la información se puede borrar y volver a grabar varias veces. EEPROM: es programable y borrable eléctricamente. Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual, para borra la información no se requiere luz ultravioleta, las memorias EEPROM no requieren programador, para reescribir no se necesita se necesita hacer un borrado previo, se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen problemas para almacenar la información y el tiempo de almacenamiento de la información es similar al de las EPROM, es decir aproximadamente 10 años. FLASH: La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar eléctricamente. Se caracteriza por tener alta capacidad para almacenar información y es de fabricación sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las EEPROM. Es muy utilizada en pendrive y cámaras
ROM de Máscara: se conoce como ROM y se caracteriza porque la información contenida en su interior se almacena durante su construcción y no se puede alterar. Son memorias ideales para almacenar microprogramas, sistemas operativos, tablas de conversión y caracteres. PROM: ROM programable. Este tipo de memoria a diferencia de la ROM no se programa durante el proceso de fabricación, en vez de ello la programación la efectúa el usuario y se puede realizar una sola vez, después de la cual no se puede borrar o volver a almacenar otra información. El proceso de programación es destructivo, es decir, que una vez grabada, es como si fuese una ROM normal. Para almacenar la información se emplean dos técnicas: por destrucción de fusible o por destrucción de unión. EPROM: PROM pero ademas la información se puede borrar y volver a grabar varias veces. EEPROM: es programable y borrable eléctricamente. Las palabras almacenadas en memoria se pueden borrar de forma individual, para borra la información no se requiere luz ultravioleta, las memorias EEPROM no requieren programador, para reescribir no se necesita se necesita hacer un borrado previo, se pueden reescribir aproximadamente unas 1000 veces sin que se observen problemas para almacenar la información y el tiempo de almacenamiento de la información es similar al de las EPROM, es decir aproximadamente 10 años. FLASH: La memoria FLASH es similar a la EEPROM, es decir que se puede programar y borrar eléctricamente. Se caracteriza por tener alta capacidad para almacenar información y es de fabricación sencilla, lo que permite fabricar modelos de capacidad equivalente a las EPROM a menor costo que las EEPROM. Es muy utilizada en pendrive y cámaras