Fundamentos de Circuitos con Diodos y Transistores: Cálculos y Mediciones Prácticas

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1) Cálculos para Circuito Regulador con Diodo Zener

Datos Proporcionados

Los datos proporcionados son:

  • $V_e = 17.20 \text{ V}$
  • $I_{z\text{min}} = 0.005 \text{ A}$
  • $V_z = 12 \text{ V}$
  • $I_{z\text{max}} = 0.04 \text{ A}$
  • $R_z = 20 \ \Omega$ (Nota: Este valor parece ser la resistencia dinámica del diodo, $r_z$, o un valor de prueba, se mantendrá como $R_z$ según el texto original)
  • $R_l = 1500 \ \Omega$

Caso 1: Corriente $I_z$ Máxima ($I_{z\text{max}}$)

En el primer caso, se considera $I_{z\text{máxima}}$:

kn1fgD8XyahrwpM0xAAAAAElFTkSuQmCC

AxSI8qpMbljjAAAAAElFTkSuQmCC

ZAAAAAElFTkSuQmCC

n3xYrwB4S2sAAAAASUVORK5CYII=

O7txu8jXx7R1HJ6OMtZbIt7Mtz4P0L33XVASzoVK

5aI2v83+bgR+HLR21nQfVbgAAAABJRU5ErkJggg=

ET2L8kPUiI5nhQRJMP2RpI94jBCIE3gcEIsPwPmg

Caso 2: Corriente $I_z$ Mínima ($I_{z\text{min}}$)

En el segundo caso, se considera $I_{z\text{mínima}}$:

pFnwm0UzLagQ0AhqBPgI6UGlX0AhoBOYegf8D7S3

uU1Ud5D1DwW019GHgp8YpqwZgcFqpHITUYFhlN7f

CD5j2+j9pZPWJH14qXqqBVANSA6mzSi0h1UCqgV+

S87SA3mJujK+ELysv0A5K+54PJf16rAqsCqwHcU+

6s6EbA2lpWg958J3w8DpZEAsPFzoa42e5lmnwach

ET2L8kPUiI5nhQRJMP2RpI94jBCIE3gcEIsPwPmg

Se adopta una resistencia de $260 \ \Omega$:

18lJgusSHhwFPkCvkFFpNs8u0sEMgmoUzBuaTgou

Cálculos Adicionales (Variaciones y Potencias)

b.:

g+dXkKeGDt0SQAAAABJRU5ErkJggg==

PZo71nMAef+B0D0z1mBjTveGA4YDhgOFAOweMoje

dGKAU4BAgECAQIBAgMBpRCCIxE7jrAQ6BQgECAQI

A9nj+ft2e6BefzRn2CT8KBhAMJBxQ4kBhKBSYlIA

phvIY1GXQkAh8PQhsLtNvZ4+fBTHCgGFgEJAIaAQ

5yEhhFrX5xOIwx3ITN0Hvv7J4+vvaFdgV+A0FvgD

Variación: zV8sB34Byv7OicbbqIPAAAAAElFTkSuQmCC

Variación $V_e$: 5XsFLsRgHTfwmf0EAAAAAElFTkSuQmCC

c.:

bbowtE6ukVuJyL7Khcx9iponFp2dIPcTkX2NS4S7 = I_{z\text{max}} = 0.0208 \text{ A}

Potencia del diodo ($P_{\text{diodo}}$): $P_{\text{diodo}} = V_z \cdot I_{z\text{max}} + V_{\text{max}}^2 / R_d$

$P_{\text{diodo}} = 12 \cdot W39jwAAAABJRU5ErkJggg== + (W39jwAAAABJRU5ErkJggg== ^2) / 20 = 0.258 \text{ W}$

Potencia en la resistencia ($P_{\text{resist}}$): $P_{\text{resist}} = I^2 \cdot R = (9xXV3KneDGHfgBz7A3ADuZrnoAAAAASUVORK5CYI ^2) \cdot 260 = 0.217 \text{ W}$

2) Medición con el Tester (Multímetro)

Realizamos mediciones con el óhmetro o con el medidor de diodos, conectando el tester entre la base y otro terminal (colector o emisor).

De esta forma, sabemos que si hay continuidad entre positivo y negativo es que estamos midiendo al diodo en polarización directa. Dependiendo de cómo hayamos colocado las puntas del tester sabremos si se trata de un transistor PNP o NPN:

  • En polarización directa, la punta positiva del multímetro estará conectada con el cristal P y la negativa con el cristal N.
  • Si hay continuidad entre la base y el colector/emisor, habiendo colocado el negativo en la base, es NPN.
  • Si se colocó el positivo en la base y hay medida, es PNP.
  • Si hay medidas en ambas situaciones, el componente está en cortocircuito.

Una vez determinado esto, se conecta una resistencia seguida del tester y se mide la ganancia ($\beta$):

  • Donde la resistencia es mayor, la ganancia es menor; este terminal es el emisor.
  • Cuando la ganancia es mayor, se trata del colector.

3) Análisis de Configuración de Transistor BJT (Imágenes)

Z

4) Polarización de un Amplificador BJT (Configuración Emisor Común)

a. Identificación de Componentes

9k=

  • $R_1$ y $R_2$: Fijan el punto de trabajo (punto Q) del transistor.
  • $C_i$ y $C_o$: Son capacitores de acoplamiento encargados de eliminar cualquier señal de corriente continua (DC) que pueda ser amplificada por el dispositivo, permitiendo el paso solo de las señales de corriente alterna (AC), además de ayudar a mantener estable la tensión de base o colector.
  • $R_c$: Resistencia que genera la caída de tensión a la salida del circuito.
  • $R_e$: Proporciona estabilidad al punto de trabajo frente a variaciones de temperatura, generando una pérdida de ganancia.
  • $C_e$: Es un capacitor que genera un cortocircuito efectivo a $R_e$ para la señal AC, con la función de aumentar la ganancia.

b. Diagrama de Polarización

2Q==

5) Parámetros de Ganancia en Transistores BJT

a. Definiciones de Ganancia

La ganancia es realmente lo que se amplifica la corriente en el transistor.

  • Alfa ($\alpha$): Se define como $I_c / I_e$ (corriente en el colector sobre corriente en el emisor). Su valor oscila entre 0.95 y 0.999 (siempre menor a 1).
  • En base común: La ganancia principal es de tensión.
  • Emisor Común (E. Común): Posee ganancia de tensión y corriente.
  • Beta ($\beta$): Se define como la corriente en el Colector sobre la de la Base, $\beta = I_c / I_b$. Su valor puede llegar a ser elevado; si $\alpha = 0.999$, $\beta$ puede llegar a 999.

La relación entre ambos parámetros es:

+rzlnPM0o3sKr9LuP38btJXDv2EhNNKV2BcywgsX

b. Ecuaciones de Corriente por Configuración

Configuración Base Común ($\text{Config BC}$):

$$I_c = \alpha \cdot I_e + I_{co}$$ $$I_b = (1 - \alpha)I_e + I_{co}$$

Donde $I_c$ es la corriente del colector, $\alpha$ es la ganancia entre el colector y emisor, $I_e$ es la corriente que circula desde el emisor, e $I_b$ es la corriente que circula por la base, e $I_{co}$ es la corriente de fuga.

Configuración Emisor Común ($\text{Config E.común}$):

$$I_c = I_b \beta + (\beta + 1) I_{co}$$

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