Diferencias Clave entre Memorias FIFO, EEPROM y Otros Tipos de Memoria

Diferencia entre FIFO y EEPROM serie:

En las memorias serie como las FIFO, el acceso a los datos es secuencial, es decir, el tiempo que tardaremos en obtener el dato requerido depende de la posición que ocupe dentro de la memoria. Es posible que tengamos que extraer otros datos antes de obtener el deseado. La EEPROM serie es una memoria de acceso aleatorio, lo cual quiere decir que debemos indicar la posición (dirección) del dato con el que queremos trabajar y obtenerlo sin afectar las demás posiciones de la memoria. El hecho de que sea serie quiere decir que tanto la dirección como los datos circulan bit a bit por las líneas correspondientes en una secuencia que marca el señal de reloj.

Memoria volátil:

Es aquella que, al dejar de recibir la tensión de alimentación, pierde su información.

Diferencia entre memoria estática y dinámica:

La célula del biestable que se encarga de almacenar el bit de información en una memoria estática mantiene su información mientras la alimentación está presente. En el caso de la memoria dinámica, dicha información se almacena en una capacidad que, al cabo del tiempo, se descargará. Para evitarlo, es necesario un circuito de refresco o regrabación periódica.

¿Existen EPROM bipolares?

No. La forma de almacenar los datos en una EPROM es en base a un FET de doble puerta flotante, el cual puede ser cargado eléctricamente y descargado por medio de la luz ultravioleta. Por eso, solo se fabrican en tecnología CMOS y NMOS.

Diferencias entre ROM, PROM, EPROM, EEPROM y FLASH:

• ROM: Son totalmente pasivas, es decir, solo de lectura y no son programables más que por el fabricante. Se caracterizan por su bajo coste.
• PROM: Son pasivas pero programables por el usuario al menos una vez; las tenemos bipolares y MOS.
• EPROM: Son pasivas pero se caracterizan por ser borrables eléctricamente por medio de rayos ultravioleta.
• EEPROM: Se caracterizan por ser borrables eléctricamente posición a posición, y además porque tanto la programación como el borrado se pueden realizar en circuito.
• FLASH: Son totalmente borrables y se pueden programar en circuito. Tienen una gran capacidad.

Diferencias entre los procesos de escritura y lectura en EPROM, PROM, EEPROM y FLASH:

La PROM es una memoria pasiva programable, mientras que la EPROM, EEPROM y FLASH son reprogramables. Las EPROM son borrables por rayos ultravioleta y programables por el usuario, y el borrado es sobre toda la memoria. Las EEPROM son borrables eléctricamente posición a posición, son programables en circuito y tienen una capacidad menor que las EPROM y FLASH. Las FLASH son borrables eléctricamente en su totalidad o por bloques y son más rápidas que las EEPROM.

Memorias de acceso serie y de acceso aleatorio:

• Acceso serie: Nos obligan a seguir una determinada secuencia para acceder a la posición seleccionada. El tiempo de acceso a una posición "x" depende de la posición en la memoria.
• Acceso aleatorio: Se puede acceder a cualquier posición. Se indica la posición de lectura o de escritura y se va a ella. El tiempo para ir a una posición "x" es el mismo si la posición es la primera o la última, independiente de la situación física de la posición en la memoria.

Memorias FIFO: Características y funcionamiento:

Son memorias de acceso serie y se denominan memorias tubo. Podemos encontrarlas síncronas o asíncronas. Su nombre indica que el primer dato en entrar será el primero en salir, por ello es que se coloca en la posición más próxima a la salida. Son memorias muy rápidas y se emplean como interfaz entre sistemas digitales de distintas velocidades. Se pueden implementar de 2 modos diferentes:

1. Mediante registros de desplazamiento: la información de entrada se desplaza hasta el registro libre más cercano a la salida gracias a una unidad de control.
2. Mediante una memoria de acceso aleatorio: tendríamos un procesador digital secuencial síncrono y 2 contadores, uno para la escritura y otro para la lectura. La diferencia entre ambos contadores indica el número de posiciones libres de la memoria.