Electronica de potencia
Enviado por Programa Chuletas y clasificado en Física
Escrito el en 
español con un tamaño de 4,64 KB
9.EL TIRISTOR
·Semiconductor con 2 estados de funcionamiento dependientes de una realimntacion regenerada.
·Se comporta como un diodo con inicilaizacion de la conducción controlada por puerta (G). (dibujo)
·Caida en conducción ? 2V
·Ventajas: - Funciona a altas frec. -Gran robustez. -Gran fiabilidad.
Estados de bloqueo: -DIRECTO (dibujo) · El tiristor polarizado en directa permanece en bloqueo hasta que no recibe la señal de disaro en la puerta (G).
· En estas condiciones tenemos pequeñas corrientes de fugas del A-K, el tiristor se comporta como un circuito abierto.
· Si la tª aumenta lo suficiente hasta que la I fugas supere la I de enclavamiento, el tiristor pasa a estar en conducción.
· Tambien pasara esto si la tension supera la tension de ruptura directa.
-INVERSO > (dibujo) · Con Va-k inversa el transistor se comporta como un circuito abierto.
Las propiedades de bloqueo inverso dependeran de la estructura del anodo.
(formula)
Estados de conducción: Va-k ? 2V ·Se mantendrá este estado de coducción hasta que a intensidad del ánodo no esté por debajo de la intensidad de mantenimiento. (descebado)
·Tambien se llama proceso de encendido o cebado. ·Se realiza estando el tiristor en bloqueo directo y aplicando una señal de disparo que provoca mas intensidad por la puerta y una caida entre 1,3-2V.
·Para que se establezca se tiene que sobrepasar la intensidad de enclavamiento.
(características A-K)
10.Caracteristicas de puerta del tiristor
La unión entre la puerta y el cátodo de un tiristor se comporta como un diodo convencional con la única diferencia de que estos poseen mayor zona de dispersión. (dibujo)
1. Zona de disparo IMPOSIBLE.
2. Zona de disparo POSIBLE.
3. Zona de disparo CIERTO.
Por encima de la Vgt y Igt se disparan todos los elementos de un fabricante. Por debajo de Vgd y Igd ningun elemento conduce.
11. Característcicas dinámicas de los tiristores.
En los SOR no se produce el paso de un estado aotro de forma instantanea, sino que del estado de conducción al de bloqueo y viceversa se tardara un tempo.
Tiempo de paso a conducción: (dibujo)
Tiempo de paso al blqueo: Cuando rl SOR esta conduciendo y pasa a polarizacion inversa no eja de conducir automáticamente sino quwe hay que esperar a la eliminación de los portadores de carga unitarios, por procesos de difusin y recombinacion.
Trr->tiempo de recuperacion inversa
Tgr->tiempo de recuperacion de la union de puerta.
Tq->tiempo de paso al off.
12.Circuito de protección desobrecargas para transistores bipolares con carga inductiva.
Las cargas inductivas producen las peores condiciones de trabajo relacionadas con las variaciones de di/dt, dv/dt, por lo que deben emplearse circuito de proteccion.
Cuando la Ic del transitor pasa a través de la bobina produce una caida de tension (+-), la cual polariza correctamente el transistor.
En un ciclo negativo o al cortar la alimentación, la inductancia tiende a descargarse de la forma (+-) polarizando al transistor inversamente. Esta tension puede llegar a romper el transistor. Su solución es poner el diodo y se conseguira que la corriente inversa producida por al inductancia pese a traves del diodo y no afecta al transistor.
(dibujo 1)
Otra solucion es utilizar un condensador para estabilizar la tension del transistor.
1-En el ciclo negativo o al corte de la alimentación el condensador se carga con la tension de descarga de la inductancia.
2-En el siguiente corte éste va a descargar la corriente en la red. (dibujo 2) (dibujo 3)
·Semiconductor con 2 estados de funcionamiento dependientes de una realimntacion regenerada.
·Se comporta como un diodo con inicilaizacion de la conducción controlada por puerta (G). (dibujo)
·Caida en conducción ? 2V
·Ventajas: - Funciona a altas frec. -Gran robustez. -Gran fiabilidad.
Estados de bloqueo: -DIRECTO (dibujo) · El tiristor polarizado en directa permanece en bloqueo hasta que no recibe la señal de disaro en la puerta (G).
· En estas condiciones tenemos pequeñas corrientes de fugas del A-K, el tiristor se comporta como un circuito abierto.
· Si la tª aumenta lo suficiente hasta que la I fugas supere la I de enclavamiento, el tiristor pasa a estar en conducción.
· Tambien pasara esto si la tension supera la tension de ruptura directa.
-INVERSO > (dibujo) · Con Va-k inversa el transistor se comporta como un circuito abierto.
Las propiedades de bloqueo inverso dependeran de la estructura del anodo.
(formula)
Estados de conducción: Va-k ? 2V ·Se mantendrá este estado de coducción hasta que a intensidad del ánodo no esté por debajo de la intensidad de mantenimiento. (descebado)
·Tambien se llama proceso de encendido o cebado. ·Se realiza estando el tiristor en bloqueo directo y aplicando una señal de disparo que provoca mas intensidad por la puerta y una caida entre 1,3-2V.
·Para que se establezca se tiene que sobrepasar la intensidad de enclavamiento.
(características A-K)
10.Caracteristicas de puerta del tiristor
La unión entre la puerta y el cátodo de un tiristor se comporta como un diodo convencional con la única diferencia de que estos poseen mayor zona de dispersión. (dibujo)
1. Zona de disparo IMPOSIBLE.
2. Zona de disparo POSIBLE.
3. Zona de disparo CIERTO.
Por encima de la Vgt y Igt se disparan todos los elementos de un fabricante. Por debajo de Vgd y Igd ningun elemento conduce.
11. Característcicas dinámicas de los tiristores.
En los SOR no se produce el paso de un estado aotro de forma instantanea, sino que del estado de conducción al de bloqueo y viceversa se tardara un tempo.
Tiempo de paso a conducción: (dibujo)
Tiempo de paso al blqueo: Cuando rl SOR esta conduciendo y pasa a polarizacion inversa no eja de conducir automáticamente sino quwe hay que esperar a la eliminación de los portadores de carga unitarios, por procesos de difusin y recombinacion.
Trr->tiempo de recuperacion inversa
Tgr->tiempo de recuperacion de la union de puerta.
Tq->tiempo de paso al off.
12.Circuito de protección desobrecargas para transistores bipolares con carga inductiva.
Las cargas inductivas producen las peores condiciones de trabajo relacionadas con las variaciones de di/dt, dv/dt, por lo que deben emplearse circuito de proteccion.
Cuando la Ic del transitor pasa a través de la bobina produce una caida de tension (+-), la cual polariza correctamente el transistor.
En un ciclo negativo o al cortar la alimentación, la inductancia tiende a descargarse de la forma (+-) polarizando al transistor inversamente. Esta tension puede llegar a romper el transistor. Su solución es poner el diodo y se conseguira que la corriente inversa producida por al inductancia pese a traves del diodo y no afecta al transistor.
(dibujo 1)
Otra solucion es utilizar un condensador para estabilizar la tension del transistor.
1-En el ciclo negativo o al corte de la alimentación el condensador se carga con la tension de descarga de la inductancia.
2-En el siguiente corte éste va a descargar la corriente en la red. (dibujo 2) (dibujo 3)