Diodos

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 dfinición d diodo: dispositivolctrónico k polarizado en sntido dircto d pasar a través d la corrientléctrica y polarizado en sntido opusto o sa invrso no dja pasar la corrientléctrica. consta d 2 trminals ánodo (a) y cátodo (k).
smiconductors:
structura cristalina:
ls smiconductors sn rds cristalinas formadas x átomos 1i2 entr sí x enlac covalnt.
comxtamientoléctrico d ls smiconductors: a tmpraturas bajas no exist corrientléctrica en ls smiconductors y intrínsco. tmpratura ambient o supriors aumnta la conductividad d 1 smiconductor intrínsco. en 1 smiconductor extrínsco si exist corrientléctrica a bajas tmpraturas.
el diodo d 1ión: 1 diodo smiconductor stá formando x 2 smiconductors extrínscos 1 d tipo p y otro d tipo n. lslctrons librs d n pasan a ocupar ls uecos d p. sto sucd asta k la acumulación dlctrons cra 1a barrra. la barrra sta constituida x 1 campoléctrico.a sta zona s lyama zona d difusión o zona agotada.
polarización d 1 diodo: xa k circula la corrient x 1 diodo s ncsario xalizarlo, s puedn xalizar d 2 for+:
polarizacion dircta:l smiconductor d tipo p tndra 1 potncial positivo rspcto al smiconductor d tipo n.cuando la tnsion extrna impusta al diodo supra la tnsion d barrra, s cra a travs dl diodo 1a corrientlctrica d valorlvado yamada corrient dircta y s prsnta x if.
polarizacion invrsa:el smiconductor d tipo p tndra 1 potncial ngativo rspcto al smiconductor d tipo n. la corrientlctrica k circula xl diodo s d valor proximo al cro.
caracstristicas tnsion corrient d 1 diodo:la curva enl primr cuadrant corrspond a la polarizacion dircta dl diodo,el trcr cuadrant mustral tramo d curva corrspondient a la polarizacion invrsa.
ekivalncias d 1 diodo
primra aproximación ,diodo idal: 1
diodo s 1 dispositivo k conduc nien en 1 sntido,polarizado dirctamnt y pobrmnt en sntido contrario, polarizado invrsamnt.el diodo cm idal s cm 1 conductor prfcto cuando s polariza dirctamnt y cm 1 aislant prfcto cuando s polariza d forma invrsa
sgunda aproximación:un diodo polarizado dirctamnt , al k s l a aplicado 1a tnsion suprior a la umbral s pued considrar cm 1lmnto k fija 1a tnsion
trcra aproximación:un diodo dirctamnt polarizado cuando s l aplica 1a tnsio suprior a la umbral s pued considrarkivalnt a 1 gnrador en srie con 1a rsistncia d pkño valor.cuando sta invrsamnt polarizado s comxta cm 1a rsistncia d valor muilvado


  diodo znr:
s 1 diodo d silicio mui dopado,su zona agotada s mui strxa yl campo magnticoen su intrior s mui intnso prmitiendo k a bajas tnsions invrsas s produzcanlvadas corrients si k s produzca la dstrucción dl diodo.
curva caractrística: ls fabricants puedn construir dio2 znr con tnsions d ruptura dsd 2v asta 200v.cuando sta polarizado dirctamnt conduc alrddor d 0.6v.
ekivalncias d 1 diodo tnr:en 1 diodo znr s puedn acr varias aproximacions
primra aproximación:s considrral diodo znr cm idal cuando la tnsion s constant a psar d ls cambios en la corrient.en st aproximación ekival a 1a vatria pro no da anrgia al circuito + vien la consum
sgunda aproximación:la rgion d ruptura no sta compltamnt vrtical lo k implica 1a rsistncia znr.la tnsion en ls borns dl diodo ss calcula mdiant la exprsión : ur=iz · rz + uz
carastristicas tcnicas + imxtants d 1 diodo znr
potncia maxima disipada(pzm):
la disipación d potncia d 1 diodo znr s igual al producto d su tnsion x su corrient; pz= uz · iz
corrient invrsa maxima: izm=pzm/uz
tnsion znr nominal;tnsion a la cual polarizado invrsamnt comienza a conducirlctricidad a travs dl (izt)
tolrancia:dsviación maxima admisible k pued prsntarl valor nominal dl diodo znr
rsistncia (rzt):rsistncia k prsntal diodo znr enl punto d prueba: rzt= Äuz/Äizt
coefi100t d tmpratura:snsibilidad dl diodo znr frnt a la tmpratura
el diodo emisor d luz (ld):s 1 dispositivo smiconductor emisor d luz.polarizado dirctamnt dja pasar la corrientlctrica y emit luz y pola rizado invrsamnt no dja pasar la luz.stan construi2 con galio,arsénico o fosforo.s componn d 2 trminals anodo + y catodo - s difrncian x sr + cortol catodo y x xaflan k prsnta la capsula.

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